次世代不揮発性メモリ「スピン注入メモリ」(STT-RAM) 、出荷開始
2012年11月29日 10:50
ymitsu 曰く、
Everspin Technologies は 11 月 12 日、次世代不揮発性メモリの有力候補とされるスピン注入メモリ (STT-RAM) のサンプルを一部顧客に出荷中であると発表した (Impress PC Watch の記事、日本国内代理店の東京エレクトロンデバイスのプレスリリースより) 。
STT-RAM とは、磁気モーメントの方向の違いでデータを記憶する MRAM を、電子のスピンを利用して大容量化したもので、いわば第二世代の MRAM にあたる。MRAM 自体は既に実用化されているが、SRAM 互換のインターフェイスを採用していた従来の MRAM とは異なり、今回 Everspin 社が出荷した STT-RAM では、DDR3 SDRAM と互換のインターフェイスが採用されている。つまり、明確に DRAM の置き換えを狙ってきたと言える。
今回製品化された STT-RAM の容量は 64 Mbit であり、とりあえずは SSD のキャッシュメモリとしての利用が想定されているようだが、開発ロードマップには 1 Gbit までの予定が記載されており、将来的には現在パソコンなどで利用されている DRAM をすべて STT-RAM が置き換えることになるかもしれない。
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