ダイヤモンドで相変化メモリの記録密度アップ？
2012年5月9日 08:00
taraiok 曰く、 Johns Hopkins大学の研究者Ming Xu氏が、相変化メモリにダイアモンドを使用することでより大容量を実現できる可能性があるとの研究結果を発表した（COMPUTERWORLD、PNAS、本家/.）。
相変化メモリは材料の結晶構造を変化させることでデータを記録するデバイス。現在のフラッシュドライブで使用されるNANDメモリよりも100倍高速で、安定性や耐久性が高いという特徴があるため期待されている技術である。
Xu氏は相変化メモリの基礎材料としてはCD-RWやDVD-RWメディアにも使用されている安価なGST相変化記憶合金を、そして書き込みを行う部分にはダイヤモンドを使用することで、情報密度や耐久性・性能が向上と低価格化が実現する可能性があるとしている。ダイヤモンドを使用することで結晶状態とアモルファス状態までの変化速度を遅くでき、これによって結晶状態とアモルファス状態までの抵抗値をより細かく調整でき、より多くのデータが収納が可能になったとしている。
相変化メモリの原理や多値記録についてはPC Watchの記事が詳しいのでこちらも参考にどうぞ。
スラッシュドットのコメントを読む | ハードウェアセクション | ハードウェア
関連ストーリー：
8Gbitの相変化メモリが実現 2012年02月23日
東北大、PRAM の消費電力を抑える新素材を開発 2011年01月11日
Intelが相変化メモリを2007年前半にサンプル出荷 2007年03月09日