低エネルギー中性子に対するソフトエラー発生率の特性を解明 NTTら

2023年3月21日 10:00

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記事提供元:スラド

NTTは16日、北海道大学と共同で中性子が引き起こす半導体ソフトエラー発生率の測定に世界で初めて成功したことを発表した。今回の成功は10ミリ電子ボルト〜1メガ電子ボルトの低エネルギー領域におけるもので、ソフトエラー発生率を連続的なデータとして実測することに成功したとしている(NTTリリースASCII.jpPC Watch)。

宇宙線が大気圏中の酸素や窒素に衝突すると中性子が発生し、その中性子が半導体に衝突すると、データが書き換わるソフトエラーが発生。その結果として通信障害などの大規模障害の原因になることがある。中性子線によるソフトエラーの発生率については、高エネルギー領域の中性子線を対象に計測した研究例があるが、低エネルギー領域では世界初。

中性子源特性試験装置で、市販のFPGAに中性子を衝突させ、NTTが開発した高速ソフトエラー検出器で中性子が持つエネルギーの変化に応じたソフトエラー発生率の変化を測定したとしている。 

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