東芝、3Dメモリ生産に向け四日市工場第2棟を建て替え

　東芝は14日、三次元構造のNAND型フラッシュメモリ（3Dメモリ）の生産に向けて、同社四日市工場第2棟を建て替えると発表した。3Dメモリーは次世代メモリとして、スマートフォンやタブレット端末向けに需要が拡大しており、それに対応する狙い。今月から解体・撤去作業を開始し、9月から工事に着手する。竣工は2015年夏を予定しており、15年度後半以降、従来の2Dメモリからの切り替えを進めることにしている。

　第2棟の建て替えは、3Dメモリの専用設備を設置する拡張スペースを確保するためであり、すでにサンディスク社（米国サンディスク社の100％日本法人）と共同設備投資で合意している。旧建屋の解体・撤去・新建屋の建築は東芝が行い、製造設備は両社で導入する。

　NAND型フラッシュメモリは1987年に東芝が世界に先駆けて開発した記憶媒体だが、現在は、韓国サムスン電子にトップの座を奪われている。サムスンはすでに3Dメモリの量産化に着手しているといわれ、東芝としては、巻き返しを図る上から四日市工場での新たな設備投資を行うことになった。

　東芝とサンディスク社は、3Dメモリの生産効率をより高めるため、今後、次世代露光や、成膜、エッチングなどの最先端設備を順次導入する。それによって両社は、市場動向に合わせたタイムリーな設備投資、微細化、新規メモリの開発など、メモリ事業の競争力強化に向けた取り組みを展開することにしている。　（記事：南条　誠・記事一覧を見る）