光ファイバ中に半導体の形成に成功

2012年2月8日 11:00

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記事提供元:スラド

 dodonga 曰く、

  Tech One の記事によれば、サウサンプトン大学とペンシルベニア州立大学の研究者らは、光ファイバ中に半導体デバイスを作成する技術を開発した。

 半導体デバイス間を光ファイバで接続して通信を行う場合、送信側のデバイスの電気信号を発光素子で光化して光ファイバで伝送し、受光素子で電気信号に変換するという仕掛けが必要になるが、研究チームは受発光素子やショットキー・バリア・ダイオード (SBT) を光ファイバの芯内に形成することに成功した。光ファイバ内にこれらの素子を作成しても、光ファイバーは光導波路としても利用できるとのこと。

 光信号を半導体で処理することが出来るようになれば光ファイバのみで伝送と信号処理の両方が実現できるだろう。

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