ブリヂストン、次世代パワー半導体用口径5インチ高品質SiCウエハの開発に成功

　ブリヂストンは26日、次世代パワー半導体用途として、口径5インチの高品質SiCウエハ（基板）の開発に成功したと発表した。

　SiCウエハは、従来の基板材料であるシリコンウエハに比べ耐久性が高く、高温にも耐えうる優れた特性をもち、今後は、自動車やエネルギー分野など、幅広い活用が見込まれている。

　同社のSiCウエハは、独自の高純度粉体原料と、最終製品まで一貫したクリーン製造プロセス技術を特徴としているが、今回新たなシミュレーション技術と温度制御技術を採用することで、高品質と口径拡大の両立に成功した。

　「今回開発に成功した口径5インチのSiCウエハは、量産ウエハレベルの高い結晶品質を確保しており、次世代パワー半導体用途としての活用が期待出来るものと考えている」と同社はコメントしている。

　同社は、市場からのニーズがより高い口径6インチ品についての開発も行っており、「2012年下期の製品化を目指す」（同社）としている。