オキサイドは3日続けて日々の上値をセリ上げる、次世代パワー半導体材料の事業化に期待強まる

■『溶液法　SiC　ウエハ』、国内初のサンプル出展後、連日出直る

　オキサイド<6521>(東証グロース)は12月18日、12%高の1546円(165円高)まで上げた後も堅調に売買され、日々の上値を3日連続セリ上げて出直りを強めている。次世代パワー半導体材料として事業化に取り組む『溶液法　SiC(炭化ケイ素)ウエハ』のサンプルを、日本国内の展示会としては初めて12月13日まで開かれた「SEMICON　JAPAN」に出展し、翌取引日から連日上値を追う相場になっている。

　発表によると、同社グループは、次世代パワー半導体材料として溶液法　SiC　(炭化ケイ素)ウエハの事業化に取り組んでいる。　溶液法は、従来の昇華法に比べて、欠陥が少なく高品質な　SiC　ウエハの製造が可能と見込まれている。子会社のオキサイドパワークリスタルの取組がNEDO国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構)の「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」に採択され、コンソーシアムメンバーと共にSiC　溶液法結晶成長技術の開発を進めている。(HC)(情報提供:日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部)

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